[发明专利]半导体发光元件在审
| 申请号： | 201510097400.3 | 申请日： | 2015-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN105990488A | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 三木聡;伊藤俊秀 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/42 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种高光提取效率的半导体发光元件。根据实施方式，半导体发光元件，包含:半导体层、第一导电层、及设置在所述半导体层与所述第一导电层之间的第二导电层。所述第二导电层的光透过率高于所述第一导电层的光透过率。所述第二导电层的消光系数为0.005以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件，其特征在于包含：半导体层，第一导电层，及设置在所述半导体层与所述第一导电层之间的第二导电层；且所述第二导电层的光透过率高于所述第一导电层的光透过率；所述第二导电层的消光系数为0.005以下。
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