[发明专利]半导体装置

摘要

实施方式的半导体装置包括第一半导体区域、多个第二半导体区域、多个第三半导体区域、多个第四半导体区域、第五半导体区域、以及栅极电极。第二半导体区域具有比第一半导体区域的第一导电型的杂质浓度高的第一导电型的杂质浓度。第三半导体区域包含第一部分、以及第二部分。第一部分设置在相邻的第二半导体区域之间。第一部分的第二导电型的杂质量比相邻的第二半导体区域所含有的第一导电型的杂质量大。第二部分设置在第一半导体区域中。第二部分的第二导电型的杂质量比相邻的第一半导体区域所含有的第一导电型的杂质量小。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于包括：第一导电型的第一半导体区域；多个第二半导体区域，选择性地设置在所述第一半导体区域上，具有比所述第一半导体区域的第一导电型的杂质浓度高的第一导电型的杂质浓度，并在第一方向上延伸，且在与所述第一方向正交的第二方向上相互相隔而设置；多个第二导电型的第三半导体区域，在所述第一方向延伸，所述第二导电型的第三半导体区域包含：第一部分，设置在相邻的所述第二半导体区域之间，具有比相邻的所述第二半导体区域所含有的第一导电型的杂质量大的第二导电型的杂质量；及第二部分，设置在所述第一半导体区域中，具有比在所述第二方向上相邻的所述第一半导体区域所含有的第一导电型的杂质量小的第二导电型的杂质量；第二导电型的第四半导体区域，设置在所述第三半导体区域上；第一导电型的第五半导体区域，设置在所述第四半导体区域中；以及栅极电极，隔着栅极绝缘膜而设置在所述第四半导体区域上。