[发明专利]隧穿场效应晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201510098501.2 | 申请日： | 2015-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN105990410B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 朱正勇;朱慧珑;许淼 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/10;H01L21/331 |
| 代理公司： | 11252 北京维澳专利代理有限公司 | 代理人： | 党丽;韩晓莉 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种隧穿场效应晶体管，包括：衬底，衬底上形成有外延的鳍；第一栅极和第二栅极，分别形成在鳍的相对的侧壁上；第一栅介质层，形成在第一栅极与鳍的侧壁之间以及第一栅极的底面上；第二栅介质层，形成在第二栅极与鳍的侧壁之间以及第二栅极的底面上；源区和漏区，分别形成在第一栅极一侧和第二栅极一侧。该结构的隧穿场效应晶体管可通过控制鳍的宽窄来实现不受杂质注入扩散限制的窄隧穿结，提高了隧穿电流，并通过增大有效隧穿面积进一步提高导通电流。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种隧穿场效应晶体管，其特征在于，包括：/n衬底，衬底上形成有外延的鳍；/n第一栅极和第二栅极，分别形成在鳍的相对的侧壁上；/n第一栅介质层，形成在第一栅极与鳍的侧壁之间以及第一栅极的底面上；/n第二栅介质层，形成在第二栅极与鳍的侧壁之间以及第二栅极的底面上；/n间隙层，形成在第一栅介质层和第二栅介质层之上、栅极盖层的两相对的侧壁上；/n其中，栅极盖层，形成在第一栅介质层和第二栅介质层之上、鳍的两相对的侧壁上；第一栅极和第二栅极，在去除栅极盖层后填充形成；/n源区和漏区在间隙层两侧的衬底上，分别形成在第一栅极一侧和第二栅极一侧。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510098501.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件及其制备方法
- 下一篇：一种制造在外延硅片上功率器件的背面结构
- 同类专利
- 专利分类
