[发明专利]掺杂磷的N型锗纳米线的低温低压生长及拉曼光谱表征方法有效
| 申请号： | 201510098596.8 | 申请日： | 2015-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN105990107B | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 何亮;麦立强;熊彪;杨枭;郝志猛;罗雯 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 张惠玲 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明专利提供了一种掺杂磷的N型锗纳米线的低温低压生长方法及拉曼光谱表征方法，以GeH4/H2作为锗纳米线生长的前驱体，以PH3/Ar作为掺杂源气体，在金纳米颗粒的催化下，利用低压化学气相沉积(LPCVD)于低温下在硅基板上制得大面积的有序高密度掺杂磷的N型锗纳米线，所述金纳米颗粒通过电子束蒸发获得；所述掺杂磷的N型锗纳米线通过拉曼光谱进行表征。本发明专利利用半导体领域的相关技术和微纳米结构的合成方法，能在低温低压条件下于硅基板上获得高密度大面积的锗纳米线阵列，工艺简单，并可利用拉曼光谱对掺杂磷后的锗纳米线进行有效的表征。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 纳米 低温 低压 生长 方法 光谱 表征 | ||
【主权项】：
1.一种掺杂磷的N型锗纳米线的低温低压生长及拉曼光谱表征方法，其特征在于，以GeH4/H2作为锗纳米线生长的前驱体，以PH3/Ar作为掺杂源气体，在金纳米颗粒的催化下，利用低压化学气相沉积(LPCVD)于总气压为5托、温度为300℃或350℃下在硅基板上制得掺杂磷的N型锗纳米线，所述金纳米颗粒通过电子束蒸发法获得；所述掺杂磷的N型锗纳米线通过拉曼光谱进行表征。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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