[发明专利]基于Ⅱ型能带匹配的共振隧穿二极管近红外探测器在审
| 申请号： | 201510098628.4 | 申请日： | 2015-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN104659146A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 裴康明;倪海桥;詹锋;董宇;牛智川 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/11 | 分类号： | H01L31/11;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于II型能带匹配的共振隧穿二极管近红外探测器，包括：一衬底；一发射极接触层，其制作在衬底上；一发射区，其制作在发射极接触层上，发射极接触层另一侧形成一台面；一隔离层，其制作在发射极上；一双势垒结构，其制作在隔离层上；一吸收层，其制作在双势垒层结构上；一集电区，其制作在吸收层上；一上电极，其制作在集电区上；一下电极，其制作在发射极接触层另一侧的台面上。本发明能够更好地影响双势垒结构的电势，进而增大光生电流，产生明显的可探测电信号。探测器在室温下具有很高的响应度和灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 能带 匹配 共振 二极管 红外探测器 | ||
【主权项】：
一种基于II型能带匹配的共振隧穿二极管近红外探测器，包括：一衬底；一发射极接触层，其制作在衬底上；一发射区，其制作在发射极接触层上，发射极接触层另一侧形成一台面；一隔离层，其制作在发射极上；一双势垒结构，其制作在隔离层上；一吸收层，其制作在双势垒层结构上；一集电区，其制作在吸收层上；一上电极，其制作在集电区上；一下电极，其制作在发射极接触层另一侧的台面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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