[发明专利]一种具有多电极结构的横向高压器件

摘要

本发明提供了一种具有多电极结构的横向高压器件，属于半导体功率器件领域。包括第二型掺杂杂质半导体衬底、第一型掺杂杂质漂移区、第二型掺杂杂质阱区、第二型掺杂杂质接触区、第一型掺杂杂质源区、第一型掺杂杂质阱区、第一型掺杂杂质漏区、介质层、多晶硅栅、源极金属和漏极金属；其特征在于，在所述第二型掺杂杂质阱区到第一型掺杂杂质阱区之间区域的上方的介质层中还设置有n个电极，n≥2，所述n个电极中任意两电极在横向方向上的投影之间有间隔，且每个电极偏置在不同的电位。本发明提供的横向高压器件可在提高器件耐压的同时降低器件的导通电阻，有效缓解了横向高压器件导通电阻与耐压之间的矛盾。

主权项

1.一种具有多电极结构的横向高压器件，包括第二型掺杂杂质半导体衬底(1)；形成于所述第二型掺杂杂质半导体衬底(1)之上的第一型掺杂杂质漂移区(3)和第二型掺杂杂质阱区(4)；形成于所述第二型掺杂杂质阱区(4)之中的第二型掺杂杂质接触区(5)和第一型掺杂杂质源区(6)；形成于所述第一型掺杂杂质漂移区(3)之中的第一型掺杂杂质阱区(7)；形成于第一型掺杂杂质阱区(7)之中的第一型掺杂杂质漏区(8)；形成于所述第一型掺杂杂质漂移区(3)和第二型掺杂杂质阱区(4)上方的介质层(9)；所述介质层(9)中设置有多晶硅栅(10)、源极金属(12)和漏极金属(13)；其特征在于，在所述第二型掺杂杂质阱区(4)到第一型掺杂杂质阱区(7)之间区域的上方的介质层中还设置有n个电极，n≥5，所述n个电极中任意两电极在横向方向上的投影之间有间隔，所述n个电极中第二电极与第三电极齐平，第四电极与第五电极齐平，第i个电极的下表面与第一型掺杂杂质漂移区(3)上表面之间的距离ti大于Vi/Ei.max，其中，Vi为第i个电极上的电压，Ei.max为第二型掺杂杂质阱区(4)到第一型掺杂杂质阱区(7)之间区域的上方的介质层的临界击穿电场，i＝1,2,3,…,n；所述n个电极中与第一型掺杂杂质阱区的距离越近的电极上偏置的电位与器件击穿时第一型掺杂杂质漏区上的电位越接近。