[发明专利]一种表征石墨烯结晶状态的简单方法在审
申请号: | 201510099583.2 | 申请日: | 2015-03-06 |
公开(公告)号: | CN105987990A | 公开(公告)日: | 2016-10-05 |
发明(设计)人: | 郭磊;陈学康;白晓航;王兰喜;曹生珠 | 申请(专利权)人: | 兰州空间技术物理研究所 |
主分类号: | G01N33/00 | 分类号: | G01N33/00 |
代理公司: | 甘肃省知识产权事务中心 62100 | 代理人: | 田玉兰 |
地址: | 730000 甘*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | 本发明公开了一种石墨烯结晶状态的表征方法,用气体刻蚀法对石墨烯生长样品进行刻蚀,石墨烯产生多个六边形刻蚀区,分析六边形刻蚀区边角对应取向,若六边形刻蚀区边角对应取向一致则生长样品为单晶,若六边形刻蚀区边角对应取向不一致则生长样品为多晶。本发明不需要大型高精密的表征设备,成本低,一般石墨烯生长的真空加热炉即可满足要求,采用氢气气氛高温下刻蚀石墨烯即可判断石墨烯的结晶状态,因此可以做到生长完后直接原位刻蚀表征石墨烯的结晶性能,方法非常简便易行。不需要制备专用表征样品,避免了采用处理后的专用样品在表征过程中产生的误差。 | ||
搜索关键词: | 一种 表征 石墨 结晶 状态 简单 方法 | ||
【主权项】:
一种表征石墨烯结晶状态的简单方法,其特征是:用氢气对石墨烯生长样品进行刻蚀,石墨烯产生多个六边形刻蚀区,分析六边形刻蚀区边角对应取向,若六边形刻蚀区边角对应取向一致则生长样品为单晶,若六边形刻蚀区边角对应取向不一致则生长样品为多晶。
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