[发明专利]一种阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201510099978.2 | 申请日： | 2015-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN104733612B | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 王来国;李爱东;方国勇;吴迪 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所32237 | 代理人： | 贺翔,杨文晰 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种阻变存储器及其制备方法，所述存储器为依次由下电极、阻变层和上电极组成的叠层结构；所述阻变层依次由上层氧化铝薄膜、氧化铪薄膜和下层氧化铝薄膜构成；所述下电极为氮化钛；该存储制备方法为A）以硅片为衬底，沉积形成下电极TiN；B）在下电极TiN上依次形成下层Al2O3薄膜、HfO2薄膜和上层Al2O3薄膜；c）形成阻变存储器的上电极；该存储器其开关电压较小且具有优异的一致性，增加上层氧化铝薄膜厚度，可以进一步提高开关比，器件还具有良好的保持性和耐疲劳性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种阻变存储器，其特征在于，所述存储器为依次由下电极、阻变层和上电极组成的叠层结构；所述阻变层依次由上层氧化铝薄膜、氧化铪薄膜和下层氧化铝薄膜构成；所述下电极为氮化钛；其中，上电极、上层氧化铝薄膜、氧化铪薄膜、下层氧化铝薄膜和下电极的厚度依次为50‑200nm、6‑20nm、6‑10nm、3nm和30‑200nm；所述上电极为导电金属、金属合金或导电金属化合物；所述导电金属为Al、Ti、Ni、Ru、Cu、Ag、W、Au或Pt；所述金属合金为Pt/Ti合金、Cu/Ti合金、Cu/Au合金、或Cu/Al合金；所述上电极的厚度为100‑150nm，下电极的厚度为30nm；所述阻变存储器的制备方法如下：A）以硅片为衬底，采用等离子体增强原子层沉积形成下电极TiN；B）采用原子层沉积方法在下电极TiN上依次形成下层Al2O3薄膜、HfO2薄膜和上层Al2O3薄膜；C）以直流溅射、物理气相沉积或者光刻的方法形成上电极；D）氮气氛围下，600℃快速退火30s，即获得所述阻变存储器。
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