[发明专利]半导体发光元件在审
申请号: | 201510100254.5 | 申请日: | 2015-03-06 |
公开(公告)号: | CN105990483A | 公开(公告)日: | 2016-10-05 |
发明(设计)人: | 胜野弘;石黑阳 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L33/24 | 分类号: | H01L33/24;H01L33/32;H01L33/62;H01L33/48;H01L33/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的实施方式提供一种高可靠性的半导体发光元件。根据实施方式,半导体发光元件包含积层体、第一电极、第二电极、以及第一导电层。所述积层体包含第一半导体层、第二半导体层、以及设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的第三半导体层。所述积层体包含第一区域、以及在与所述第二半导体层和所述第一半导体层积层的第一方向交叉的第二方向上与所述第一区域排列的第二区域。所述第一电极与所述第一半导体层电连接。所述第二电极设置在所述第一区域与所述第二区域之间。所述第一导电层将所述第二半导体层与所述第二电极连接。所述第一导电层的外缘位于较所述积层体的外缘更靠内侧。 | ||
搜索关键词: | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】:
一种半导体发光元件,其特征在于包括积层体、第一电极、第二电极、以及第一导电层;该积层体包含:第一半导体层;第二半导体层;以及设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的第三半导体层;并且包含第一区域、以及在与所述第二半导体层和所述第一半导体层积层的第一方向交叉的第二方向上与所述第一区域并排的第二区域;该第一电极与所述第一半导体层电连接;该第二电极设置在所述第一区域与所述第二区域之间;该第一导电层将所述第二半导体层与所述第二电极连接;并且所述第一导电层的外缘位于较所述积层体的外缘更靠内侧。
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