[发明专利]变容管结构有效
| 申请号： | 201510100285.0 | 申请日： | 2015-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN104900720B | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | 奥利弗·泰森;马蒂厄·佩林;洛尔·罗兰杜罗斯科特 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种MOS变容管结构，包括具有阱区的半导体主体，以及布置在所述阱区上的多个栅极电极和多个阴极电极，其中所述栅极电极包括细长焊盘，并且多个阴极触点通过阴极连接图案相连，所述阴极连接图案包括多个臂，所述多个臂中的每个臂布置为在相应的栅极电极焊盘的一部分上延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 变容管 结构 | ||
【主权项】：
一种MOS变容管结构，包括：具有阱区的半导体主体，以及布置在所述阱区上的多个栅极电极和多个阴极电极，其中所述栅极电极包括细长焊盘，并且多个阴极触点通过阴极连接图案相连，所述阴极连接图案包括多个臂，所述多个臂中的每个臂布置为在相应的栅极电极焊盘的一部分上延伸其中所述结构包括第一栅极连接图案和第二栅极连接图案，所述栅极连接图案在间隔开的第一层和第二层中延伸；其中所述第一栅极连接图案配置为向栅极电极的第一子集提供互连，并且所述第二栅极连接图案配置为向栅极电极的第二子集提供互连，所述第二子集包括在第一子集外部的栅极电极。
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