[发明专利]绝缘层的形成方法、EEPROM及其形成方法

摘要

本发明提供了一种绝缘层的形成方法、EEPROM及其形成方法。绝缘层的形成方法包括：在形成第一绝缘层上形成第一掩模后，以第一掩模为掩模刻蚀所述第一绝缘层，在所述第一掩模和第一绝缘层内形成第一凹槽，之后在所述第一凹槽的侧壁上形成的侧墙，且所述侧墙露出部分位于所述第一凹槽底部的第一绝缘层；在以所述侧墙为掩模去除第一凹槽底部的第一绝缘层，露出半导体衬底后，在露出的所述半导体衬底上形成第二绝缘层；之后，去除侧墙，以第二绝缘层为掩模减薄第一绝缘层，至露出第一凹槽底部的半导体衬底，并在露出的半导体衬底上形成第三绝缘层。采用上述技术方案中，可在采用现有的光刻机条件下，进一步缩小形成的第三绝缘层尺寸。

主权项

1.一种绝缘层的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成第一掩模，以所述第一掩模为掩模刻蚀所述第一绝缘层以去除部分厚度的所述第一绝缘层，在所述第一绝缘层和所述第一掩模内形成第一凹槽；在所述第一凹槽的侧壁上形成侧墙；以所述第一掩模和侧墙为掩模，去除所述第一凹槽底部的第一绝缘层，以露出所述半导体衬底；在侧墙露出的第一凹槽底部的半导体衬底上形成第二绝缘层；去除所述侧墙和第一掩模，露出第一凹槽底部的第一绝缘层；以所述第二绝缘层为掩模，减薄所述第一绝缘层至露出第一凹槽底部的所述半导体衬底；在露出的半导体衬底表面形成第三绝缘层。