[发明专利]一种判断p型铝镓氮材料的方法在审
| 申请号： | 201510102655.4 | 申请日： | 2015-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN106033105A | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | 周梅;李春燕;韩萍;刘玉颖;沈慧星 | 申请（专利权）人： | 中国农业大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王文君 |
| 地址： | 100193 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种判断p型AlGaN材料的方法，包括如下步骤：1)将待测AlGaN材料作为有源层制成AlGaN基紫外探测器；2)对AlGaN紫外探测器外加偏压，测得AlGaN紫外探测器的响应光谱；3)根据响应度随着负偏压的变化和响应光谱形状的变化，判断AlGaN材料是否为p型。本发明将待测材料制成紫外探测器，外加偏负压后，观察响应度的变化和光谱变化，如果随着反向偏压的增加，响应度会显著增加，而且响应光谱形状也会变得更平，长波和短波处的响应度会越来越接近，则判断是p型。反之，如果响应光谱的形状几乎没有变化，则判断是n型；利用该方法可以较准确地判断Al组分比较高AlGaN材料是否p型。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 判断 型铝镓氮 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种判断p型AlGaN材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)将待测AlGaN材料作为有源层制成AlGaN基紫外探测器；2)对AlGaN紫外探测器外加偏压，测得AlGaN紫外探测器的响应光谱；3)根据响应度和响应光谱的变化，判断AlGaN材料是否为p型。
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