[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201510102793.2 | 申请日： | 2015-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN106033768A | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | 张昌洙;徐东秀;牟圭铉;朴在勋;宋寅赫 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 鲁恭诚;李盛泉 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一导电型主体层；第二导电型电场限制环，设置在第一导电型主体层的上部中；电阻层，设置在第二导电型电场限制环之下；第二导电型阳极层，设置在第一导电型主体层的上部上。由于电阻层设置在第二导电型电场限制环之下，可有优势地影响半导体器件的击穿电压并提高半导体器件的耐用性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一导电型主体层；第二导电型电场限制环，设置在第一导电型主体层的上部中；电阻层，设置在第二导电型电场限制环之下；第二导电型阳极层，设置在第一导电型主体层的上部上。
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