[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法

摘要

实现抑制形成特性不连续的膜、成品率高的衬底处理装置和半导体器件的制造方法。衬底处理装置包括：处理室；衬底载置台；使衬底载置台旋转的旋转部；多个原料气体供给构造；原料气体供给部；原料气体排气构造；分别与原料气体排气构造连接的多个原料气体排气管；具有多个原料气体排气管并经由原料气体排气构造将处理室的气氛排出的原料气体排气部；多个反应气体供给构造；反应气体供给部；多个反应气体排气构造；分别与反应气体排气构造连接的多个反应气体排气管；具有多个反应气体排气管并经由反应气体排气构造将处理室的气氛排出的反应气体排气部；分别设于反应气体排气管的多个反应气体压力检测器。

主权项

一种衬底处理装置，包括：处理室；衬底载置台，其设于所述处理室内，将衬底载置部呈圆周状地配置；旋转部，其使所述衬底载置台旋转；原料气体供给构造，多个原料气体供给构造呈圆周状地配置在所述衬底载置台的上方；原料气体供给部，其经由所述多个原料气体供给构造向所述原料气体供给构造的下方区域供给原料气体；原料气体排气构造，其与所述多个原料气体供给构造分别对应地设置，将所述原料气体供给构造的下方区域的气氛排出；多个原料气体排气管，分别与所述原料气体排气构造连接；原料气体排气部，具有所述多个原料气体排气管，并经由所述原料气体排气构造将所述处理室的气氛排出；多个反应气体供给构造，设于所述衬底载置台的上方，配置于所述原料气体供给构造之间；反应气体供给部，其经由所述多个反应气体供给构造向所述反应气体供给构造的下方区域供给反应气体；多个反应气体排气构造，其与所述多个反应气体供给构造分别对应地设置，将所述反应气体供给构造的下方区域的气氛排出；多个反应气体排气管，分别与所述反应气体排气构造连接；反应气体排气部，具有所述多个反应气体排气管，并经由所述反应气体排气构造将所述处理室的气氛排出；多个反应气体压力检测器，分别设于所述反应气体排气管；以及控制部，至少控制所述原料气体供给部、所述原料气体排气部、所述反应气体供给部、所述反应气体排气部和所述反应气体压力检测器。