[发明专利]纵向型半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种能够获得低导通电阻、高雪崩耐量、高关断耐量以及高反向恢复耐量的纵向型半导体装置及其制造方法。在具备元件活性部和耐压结构部的纵向型半导体装置中，在元件活性部的第一主表面具备第一主电极和栅极焊盘电极，在第一主电极下部的漂移层具备第一并列pn层，在栅极焊盘电极下部具备第二并列pn层。在栅极焊盘电极下部的第二并列pn层与被配置在漂移层的表面层的p阱区域之间具备第一导电型隔离区域，通过使第二并列pn层的重复间距比第一并列pn层的重复间距窄，能够获得低导通电阻、高雪崩耐量、高关断耐量以及高反向恢复耐量。

主权项

1.一种纵向型半导体装置，具备元件活性部和耐压结构部，该纵向型半导体装置的特征在于，在上述元件活性部具备：第一导电型的第一半导体层；漂移层，其被配置在上述第一半导体层的第一主表面上；第一导电型的第二半导体层，其被配置在上述漂移层的表面层；第二导电型的阱区域，其被配置在上述第二半导体层的表面层；第一导电型的源极区域，其被配置在上述阱区域的表面层；第二导电型的接触区域，其被配置在上述阱区域的表面层；栅电极，其隔着栅极绝缘膜配置在被上述阱区域的上述源极区域与上述第二半导体层夹持的上述阱区域上；以及层间绝缘膜，其被配置在上述栅电极的上表面，其中，在上述层间绝缘膜的上表面具备与上述源极区域和上述接触区域电连接的第一主电极，在上述层间绝缘膜的上表面还具备与上述第一主电极分离配置且与上述栅电极电连接的栅极焊盘电极，上述第一主电极下部的上述漂移层具备第一并列pn层，在该第一并列pn层沿与上述第一主表面平行的方向重复交替地配置第一第一导电型半导体区域和第一第二导电型半导体区域，并且上述第一第二导电型半导体区域与上述阱区域接触，上述栅极焊盘电极下部的上述漂移层具备第二并列pn层，在该第二并列pn层沿与上述第一主表面平行的方向重复交替地配置第二第一导电型半导体区域和第二第二导电型半导体区域，并且上述第二第二导电型半导体区域配置成与上述阱区域相向，在上述第二并列pn层与上述阱区域之间具备第一导电型隔离区域。