[发明专利]垂直结构AlGaN/GaNHEMT器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201510103132.1 | 申请日： | 2015-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN104701359B | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 孙世闯;张宝顺;范亚明;付凯;蔡勇;于国浩;张志利;宋亮 | 申请（专利权）人： | 苏州能屋电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335;H01L21/265 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直结构AlGaN/GaN HEMT器件，其包括衬底、外延结构以及源、漏、栅极，所述外延结构包括依次形成在所述衬底正面的电流阻挡层、第二半导体层、第一半导体层和钝化层，所述第一半导体层和/或第二半导体层内分布有二维电子气沟道，所述源极与第一半导体层电连接，所述栅极设置在所述钝化层上，所述漏极设置在所述衬底背面，其中所述电流阻挡层采用高阻GaN层，且所述高阻GaN层中于位于栅极下方的区域内分布有Si离子注入形成的n型重掺杂电流导通通孔。本发明器件具有高耐压、低漏电等优点。本发明还公开了所述HEMT器件的制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 结构 algan gan hemt 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种垂直结构AlGaN/GaN HEMT器件，包括衬底、外延结构以及源、漏、栅极，所述外延结构包括依次形成在所述衬底正面的电流阻挡层、第二半导体层、第一半导体层和钝化层，所述第一半导体层和/或第二半导体层内分布有二维电子气沟道，所述源极与第一半导体层电连接，所述栅极设置在所述钝化层上，所述漏极设置在所述衬底背面，其特征在于：所述电流阻挡层采用高阻GaN层，所述高阻GaN层采用C或者Fe掺杂而形成高阻且掺杂浓度n≤2e16cm‑3，所述高阻GaN层中于位于栅极下方的区域内分布有Si离子注入形成的n型重掺杂电流导通通孔，而且用以形成所述n型重掺杂电流导通通孔的Si离子注入能量为≥10KeV而＜1000KeV，注入剂量为1012‑1016/cm2，同时所述电流阻挡层与第二半导体层之间还设有C掺杂GaN中和层，所述C掺杂GaN中和层的厚度为1‑10nm。
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