[发明专利]用于GaN基LED的抗反射透明电极结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201510103958.8 申请日: 2015-03-10
公开(公告)号: CN104659179A 公开(公告)日: 2015-05-27
发明(设计)人: 李睿 申请(专利权)人: 江苏新广联半导体有限公司
主分类号: H01L33/42 分类号: H01L33/42;H01L33/44;H01L33/00;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 代理人: 曹祖良;张涛
地址: 214192 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种透明电极结构及其制备方法,尤其是一种用于GaN基LED的抗反射透明电极结构及其制备方法,属于半导体LED的技术领域。按照本发明提供的技术方案,所述用于GaN基LED的抗反射透明电极结构,包括GaN基板;所述GaN基板上设有纳米柱层,在所述纳米柱层上覆盖有ITO层;所述纳米柱层包括若干相互独立的TiO2纳米柱,在所述TiO2纳米柱的外侧设有柱隔离孔,ITO层覆盖在TiO2纳米柱上,并填充在柱隔离孔内,以使得ITO层与GaN基板欧姆接触。本发明结构紧凑,能显著提高GaN基正装LED的光抽取效率,工艺简单,成本低,安全可靠。
搜索关键词: 用于 gan led 反射 透明 电极 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
一种用于GaN基LED的抗反射透明电极结构,包括GaN基板(1);其特征是:所述GaN基板(1)上设有纳米柱层,在所述纳米柱层上覆盖有ITO层(4);所述纳米柱层包括若干相互独立的TiO2纳米柱(2),在所述TiO2纳米柱(2)的外侧设有柱隔离孔(3),ITO层(4)覆盖在TiO2纳米柱(2)上,并填充在柱隔离孔(3)内,以使得ITO层(4)与GaN基板(1)欧姆接触。
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