[发明专利]一种带复合绝缘层的金属基薄膜传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201510104153.5 | 申请日： | 2015-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN104726862B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 赵晓辉;王亦然;杨柯;蒋书文;蒋洪川;熊杰;张万里 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;东莞电子科技大学电子信息工程研究院 |
| 主分类号： | C23C28/00 | 分类号： | C23C28/00;C23C14/35 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 李明光 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种带复合绝缘层的金属基薄膜传感器及其制备方法，属于薄膜传感器的设计及制备技术领域。所述带复合绝缘层的金属基薄膜传感器从下往上依次为合金基板、NiCrAlY合金过渡层、Al2O3热生长层、非晶YAlO过渡层、Al2O3绝缘层、薄膜传感器功能层、Al2O3保护层，其中，非晶YAlO过渡层为氧化钇和氧化铝组成的非晶YAlO薄膜，氧化钇与氧化铝的摩尔比为1：(1～20)。本发明的非晶YAlO过渡层能改善薄膜传感器绝缘层的附着力和绝缘性能，降低器件的失效几率，为薄膜传感器在高温恶劣的环境中工作提供了更高的可靠性。 1 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜传感器 过渡层 非晶 复合绝缘层 金属基薄膜 传感器 绝缘层 氧化钇 制备 附着力 制备技术领域 氧化铝组成 合金基板 降低器件 绝缘性能 热生长层 失效几率 保护层 功能层 摩尔比 氧化铝 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种带复合绝缘层的金属基薄膜传感器，包括七层结构，从下往上依次为合金基板(1)、NiCrAlY合金过渡层(2)、Al2O3热生长层(3)、非晶YAlO过渡层(4)、Al2O3绝缘层(5)、薄膜传感器功能层(6)、Al2O3保护层(7)，其中，所述非晶YAlO过渡层(4)为氧化钇和氧化铝组成的非晶YAlO薄膜，所述氧化钇与氧化铝的摩尔比为1：(1～20)；所述非晶YAlO过渡层的制备过程为：以钇铝合金靶为靶材，其中钇和铝的原子比为1：(1～20)，在氧气和氩气的流量比为1：(1.2～10)、溅射气压为0.2～10Pa、溅射功率为100～300W、溅射温度为200～600℃的条件下，采用反应溅射的方法沉积厚度为0.5～2μm的非晶YAlO薄膜、作为过渡层。
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