[发明专利]透明导体的制作方法、透明导体及其制作装置以及透明导体前驱体的制作装置无效
| 申请号： | 201510104495.7 | 申请日： | 2015-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN104916370A | 公开（公告）日： | 2015-09-16 |
| 发明（设计）人： | 内藤胜之;赤坂芳浩;杨添一;吉永典裕 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B5/14;H01B1/02;H01B1/04 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘兴鹏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据一个实施例，提供了一种制作透明导体的方法。在该方法中，使包括多个银纳米线并且具有开口的银纳米线层在被铜支撑件支撑的石墨烯膜上形成。然后，在所述银纳米线层上形成于铜蚀刻溶液中不可溶的透明树脂层，由此使得所述透明树脂层通过所述开口与所述石墨烯膜接触。然后使铜支撑件与所述非酸性铜蚀刻溶液接触从而去除铜支撑件，由此使石墨烯膜暴露。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导体 制作方法 及其 制作 装置 以及 前驱 | ||
【主权项】：
一种制作透明导体的方法，包括：在由铜支撑件支撑的石墨烯膜上形成银纳米线层，所述银纳米线层包括多个银纳米线并且具有开口；在所述银纳米线层上形成透明树脂层，使得所述透明树脂层通过所述开口接触所述石墨烯膜，所述透明树脂层不能溶于铜蚀刻溶液中；并且在形成所述透明树脂层之后，通过使所述铜支撑件与非酸性铜蚀刻溶液接触去除所述铜支撑件，以使所述石墨烯膜暴露。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510104495.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种漆包裸线清洗方法
- 下一篇：用于太阳能电池电极的导电浆料
