[发明专利]三维存储器结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201510104701.4 | 申请日： | 2015-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN106033682B | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 胡志玮;叶腾豪 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/06 | 分类号： | G11C5/06;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三维存储器结构及其制造方法。此种三维存储器结构包括多个串行、多条第一导线、多条第二导线及多条第三导线。串行平行配置。第一导线配置于串行之上。第一导线的中央部分垂直于串行。第二导线配置于第一导线之上。第二导线连接第一导线的其中一半的末端部分。第三导线配置于第二导线之上。第三导线连接第一导线的另一半的末端部分。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器结构，包括：多个串行，这些串行平行配置；多条第一导线，配置于这些串行之上，这些第一导线的中央部分垂直于这些串行，这些第一导线的其中一半及这些第一导线的另一半为朝向相反方向的U形形状；多条第二导线，配置于这些第一导线之上，这些第二导线连接这些第一导线的其中一半的末端部分；以及多条第三导线，配置于这些第二导线之上，这些第三导线连接这些第一导线的另一半的末端部分；其中，这些第二导线及这些第三导线为朝向相反方向的U形形状，这些第一导线的该一半及这些第一导线的该另一半为分别对应这些第二导线及这些第三导线的U形形状。
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