[发明专利]一种区域隔离装置、区域隔离系统和刻蚀方法在审
| 申请号： | 201510104822.9 | 申请日： | 2015-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN106033713A | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | 田明静 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种区域隔离装置、区域隔离系统和刻蚀方法，所述刻蚀方法中，采用区域隔离系统在待刻蚀的基板上形成气帘，所述气帘将基板的隔离成待刻蚀区域与其他区域相隔离，从而在向所述待刻蚀区域上喷涂刻蚀液过程中，所述气帘可阻挡所述刻蚀液进入基板上无需刻蚀的区域，从而保护基板，避免基板无需刻蚀的区域被刻蚀液腐蚀；而且采用所述区域隔离装置在基板上方形成气帘的方式以隔离所述基板的待刻蚀区域，可避免基板与区域隔离装置的直接接触，进而降低在刻蚀过程中基板的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 区域 隔离 装置 系统 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种区域隔离装置，其特征在于，包括：主体部，所述主体部包括第一端面、与所述第一端面相对的第二端面以及第一端面和第二端面之间的侧面；在所述第一端面上开设有凹槽；输气部，设置在所述侧面上，与所述凹槽相通，用于向所述凹槽输送气体，从而在凹槽的开口处形成气帘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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