[发明专利]一种磷、硼液态源一次全扩散工艺

摘要

本发明公开了一种磷、硼液态源一次全扩散工艺，主要通过以下步骤实现在双面减薄后的硅片一面旋转涂覆液态硼源，进行烘烤，然后再旋转涂覆液态磷源，烘烤后进行叠片，磷源面和磷源面，硼源面和硼源面两两相对叠放在硅舟上进行一次全扩散。这样的扩散结深平坦均匀，可以使产品反向击穿电压稳定、均一性良好；扩散浓度梯度降低，可以有效的改善PN结场强，提高产品的耐放电能力，并能够有效的提高产品抗反向浪涌能力；同时硅片边缘返源量小，体内缺陷少，产品可靠性高。加工成本低，工艺简单，易于生产。

主权项

一种磷、硼液态源一次全扩散工艺，其特征在于：包括如下步骤：1)、硅片双面减薄：使用硝酸、氢氟酸、冰乙酸，按照3:1:1的比例对原始硅片进行双面腐蚀，去除表面损伤层；2)、扩散前清洗：通过酸、碱、去离子水超声清洗工序，对硅片表面进行化学处理；3)、涂硼源：在清洗后的硅片的表面均匀涂上硼源，所述硼源的浓度为1％～15％，纯度为99.9％；4)、第一次烘烤：将涂硼源后的硅片进行烘烤，温度为60～80℃，时间为10分钟；5)、涂磷源：在烘烤后的硅片的背面均匀涂上磷源，所述磷源的浓度为1％～20％，纯度为99.9％；6)、第二次烘烤：将涂双面源后的硅片进行烘烤，温度为60～80℃，时间为20～40分钟；7)、叠片、装舟：在涂硼源面撒少许硅粉，然后把硅片两两相对，即磷源面与磷源面，硼源面与硼源面相对叠在一起，竖立摆在硅舟上，并用硅块挤紧；8)、扩散：将装舟的硅片在1270～1275℃进行扩散，形成扩散结；9)、扩散后处理：用酸浸泡、去离子水超声清洗，使硅片分离，并去除表面氧化层。