[发明专利]静电吸盘有效
| 申请号： | 201510105529.4 | 申请日： | 2015-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN104952779B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 山口康介;穴田和辉;古贺达也;松井宏树 | 申请（专利权）人： | TOTO株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 11290 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 周善来;王玉玲<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种静电吸盘，其能够降低等离子对粘接剂的损伤。具体而言，其特征为，具备：陶瓷电介体基板，具有放置吸附对象物的第1主面、第1主面相反侧的第2主面、从第2主面设置到第1主面的穿通孔；金属制基座板，支撑陶瓷电介体基板且具有与穿通孔连通的气体导入路；及接合层，设置在陶瓷电介体基板与基座板之间且包含树脂材料，接合层具有设置在第2主面上的穿通孔的开口部与气体导入路之间的与开口部相比水平方向上更大的空间，空间侧的接合层的端面与第2主面相交的第1区域比不同于第1区域的端面的另外的第2区域还要从开口部后退。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 吸盘 | ||
【主权项】：
1.一种静电吸盘，其特征为，/n具备：陶瓷电介体基板，具有放置吸附对象物的第1主面、所述第1主面相反侧的第2主面、从所述第2主面设置到所述第1主面的穿通孔；/n金属制基座板，支撑所述陶瓷电介体基板且具有与所述穿通孔连通的气体导入路；/n及接合层，设置在所述陶瓷电介体基板与所述基座板之间且包含树脂材料，/n所述接合层具有设置在所述第2主面上的所述穿通孔的开口部与所述气体导入路之间的与所述开口部相比水平方向上更大的空间，/n所述空间侧的所述接合层的端面与所述第2主面相交的第1区域比不同于所述第1区域的所述端面的另外的第2区域还要从所述开口部后退，/n所述基座板在所述接合层的端面处为平面。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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