[发明专利]半导体元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201510105710.5 | 申请日： | 2015-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN106033706A | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | 宋良君;刘晓莲 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体元件及其制造方法。半导体元件的制造方法包括以下步骤：提供基底，基底具有正面与正面相反侧的背面。分别在正面与背面上形成第一材料层，且第一材料层对于基底具有第一应力。分别在正面与背面的第一材料层上形成第二材料层，且第二材料层对于基底具有第二应力。对背面进行移除工艺，以移除位于背面上的第二材料层。分别在正面的第二材料层与背面的第一材料层上形成第三材料层，且第三材料层对于基底具有第三应力，其中第二应力大于第一应力与第三应力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件的制造方法，包括：提供基底，所述基底具有正面与背面；分别在所述基底的所述正面与所述背面上形成第一材料层，且所述第一材料层对于所述基底具有第一应力；分别在所述基底的所述正面与所述背面的所述第一材料层上形成第二材料层，且所述第二材料层对于所述基底具有第二应力；对所述基底的所述背面进行移除工艺，以移除位于所述背面上的所述第二材料层；以及分别在所述正面的所述第二材料层与所述背面的所述第一材料层上形成第三材料层，且所述第三材料层对于所述基底具有第三应力，其中所述第二应力大于所述第一应力与所述第三应力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
