[发明专利]非挥发性存储器及其制造方法

摘要

本发明公开一种非挥发性存储器及其制造方法，该存储器包括基底、第一导体层、第二导体层、图案化硬掩模层、第三导体层、第一掺杂区及第二掺杂区。第一导体层与第二导体层彼此分离设置于基底上。图案化硬掩模层设置于第一导体层上，且暴露出第一导体层的尖端。第三导体层设置于第一导体层远离第二导体层的一侧的基底上。第三导体层位于部分第一导体层上并覆盖尖端，且第三导体层与第一导体层相互隔离。第一掺杂区设置于第三导体层下方的基底中。第二掺杂区设置于第二导体层远离第一导体层的一侧的基底中。

主权项

1.一种非挥发性存储器，包括：基底；第一导体层与第二导体层，分别作为浮置栅极和选择栅极，彼此分离设置于该基底上；图案化硬掩模层，设置于该第一导体层上，且暴露出该第一导体层的一尖端；第三导体层，作为抹除栅极，设置于该第一导体层远离该第二导体层的一侧的该基底上，其中该第三导体层位于部分该第一导体层上并覆盖该尖端，且该第三导体层与该第一导体层相互隔离；第一掺杂区，设置于该第三导体层正下方的该基底中；第二掺杂区，设置于该第二导体层远离该第一导体层的一侧的该基底中；以及第三掺杂区，设置于该第一导体层与该第二导体层之间的该基底中。