[发明专利]基于选择性外延制作SOI的方法在审
| 申请号： | 201510106146.9 | 申请日： | 2015-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN104821290A | 公开（公告）日： | 2015-08-05 |
| 发明（设计）人： | 曹苗苗;季伟;罗啸 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于选择性外延制作SOI的方法，包括：在硅衬底上淀积绝缘膜；刻蚀绝缘膜打开淀积窗口；淀积单晶硅；调节淀积气体和刻蚀气体的流量平衡比率使得最终在绝缘膜上的刻蚀速率大于单晶硅淀积速率。本发明的制作方法工艺简单，成本较低，硅外延的厚度可控。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 选择性 外延 制作 soi 方法 | ||
【主权项】：
一种基于选择性外延制作SOI的方法，其特征是，包括以下步骤：1)在硅衬底上淀积绝缘膜；2)刻蚀绝缘膜打开淀积窗口；3)在淀积窗口中淀积单晶硅；4)调节淀积气体和刻蚀气体的流量平衡比率使得最终在绝缘膜上的刻蚀速率大于单晶硅淀积速率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
