[发明专利]等离子体处理装置和薄膜晶体管的制造方法

摘要

本发明在于提供一种能够在薄膜晶体管的制造步骤中抑制腐蚀的发生并且对含有铝的电极进行图案化的等离子体处理装置等。等离子体处理装置(2)对形成有薄膜晶体管(4a、4b)的基板(F)实施等离子体处理，进行上述等离子体处理的处理容器(21)具备用于载置基板(F)的载置台(231)。真空排气部(214)进行处理容器(21)内的真空排气，从氢气供给部(262)供给作为等离子体产生用的气体的氢气。等离子体发生部(24)将上述等离子体产生用的气体等离子体化，进行在含有铝的金属膜的上层侧形成被图案化的抗蚀剂、通过含有氯的蚀刻气体对上述金属膜进行了蚀刻处理的基板的处理。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：在处理容器内配置在含有铝的金属膜的上层侧形成有图案化的抗蚀剂膜、通过含有氯的蚀刻气体对所述金属膜进行了蚀刻处理的基板的步骤；对所述处理容器内进行真空排气并且对该处理容器内供给作为等离子体产生用的气体的氢气的步骤；和使供给到所述处理容器内的等离子体产生用的气体等离子体化，将附着于所述基板的氯除去的步骤，将附着于所述基板的氯除去的步骤在0.667Pa以上、13.3Pa以下的压力范围内进行。