[发明专利]一种GaAs基HBT垂直腔面发射激光器在审
| 申请号： | 201510106790.6 | 申请日： | 2015-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN104752952A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 王智勇;高鹏坤;王青;郑建华 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/026 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
一种GaAs基HBT垂直腔面发射激光器，该激光器由GaAs基HBT和VCSEL两部分组成，所述GaAs基HBT由在GaAs衬底上依次分子束外延生长的第一GaAs缓冲层、GaAs集电区、第一GaAs非掺杂间隔层、GaAs P+型掺杂基区、第二GaAs非掺杂间隔层、In |
||
| 搜索关键词： | 一种 gaas hbt 垂直 发射 激光器 | ||
【主权项】：
1.一种GaAs基HBT垂直腔面发射激光器，其特征在于：该激光器由GaAs基HBT和VCSEL两部分组成，所述GaAs基HBT由在GaAs衬底上依次分子束外延生长的第一GaAs缓冲层、GaAs集电区、第一GaAs非掺杂间隔层、GaAs P+型掺杂基区、第二GaAs非掺杂间隔层、In0.49 Ga0.51 P发射区、第一GaAs帽层构成；所述VCSEL由在腐蚀截止层InGaP上依次分子束外延生长的第二GaAs缓冲层、34.5对λ0 /4光学厚度的Al0.9 Ga0.1 As/Al0.2 Ga0.8 As N型下分布布拉格反射镜层、Al0.2 Ga0.8 As/GaAs有源层、3对λ0 /4光学厚度的Al0.9 Ga0.1 As/Al0.2 Ga0.8 As P型分布布拉格反射镜层、Al0.98 Ga0.02 As氧化限制层、21.5对λ0 /4光学厚度的Al0.9 Ga0.1 As/Al0.2 Ga0.8 As P型上分布布拉格反射镜层、第二GaAs帽层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京工业大学，未经北京工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510106790.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
