[发明专利]一种芯片级GaAs功率器件、微波单片电路表面温度检测方法有效
| 申请号： | 201510106844.9 | 申请日： | 2015-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN104808715B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 王智勇;高鹏坤;王青;张绵;郑建华 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | G05D23/24 | 分类号： | G05D23/24 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种芯片级GaAs功率器件、微波单片电路表面温度检测方法，S1利用片内集成的负温度系数的Pt热敏电阻NTC检测管芯温度或结温，将片外可调精密电阻阻值调至NTC参考值，通过检测温度检测点处电压，从而计算出管芯温度；S2通过调节片外可调精密电阻，使温度检测点处电压在极限工作温度时电压满足温度控制模块条件，开启温度控制模块；可调精密电阻Rt使温度控制灵活性更大，以实现较大的温度控制范围；S3温度控制模块通过检测温度检测点处电压，若满足控制条件，则通过降低偏置模块偏置电流，从而使得管芯偏置点降低，进而使芯片工作于低功率状态，从而使得芯片功率管芯不至于过热、或长时间的热积累而烧毁。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片级 gaas 功率 器件 微波 单片 电路 表面温度 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片级GaAs功率器件、微波单片电路表面温度检测方法，其特征在于：该方法包括下述流程步骤，S1利用片内集成的负温度系数的Pt热敏电阻NTC检测管芯温度或结温，将片外可调精密电阻阻值调至NTC参考值，通过检测温度检测点处电压，从而计算出管芯温度；S2通过调节片外可调精密电阻，使温度检测点处电压在极限工作温度时电压满足温度控制模块条件，开启温度控制模块；可调精密电阻Rt使温度控制灵活性更大，以实现较大的温度控制范围；S3温度控制模块通过检测温度检测点处电压，若满足控制条件，则通过降低偏置模块偏置电流，从而使得管芯偏置点降低，进而使芯片工作于低功率状态，从而使得芯片功率管芯不至于过热、或长时间的热积累而烧毁。
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