[发明专利]元件绝氧密封方法及其制成的元件有效
| 申请号： | 201510106966.8 | 申请日： | 2015-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN104658926B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 哈鸣;马抗震;顾中山;李伟 | 申请（专利权）人： | 禾邦电子（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/60;H01C7/02 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 214101 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种元件绝氧密封方法，包括提供一PPTC基板，该基板由若干PPTC单元重复排列而成，对该基板上、下表面印刷密封胶；对基板上、下表面其一进行第一次半切，形成第一凹槽；对第一切割表面印刷密封胶，填平第一凹槽；对基板上、下表面另一进行第二次半切，形成第二凹槽；对第二切割表面印刷密封胶，填平第二凹槽；在第一凹槽与第二凹槽处全切；其中，第一次半切与第二次半切的切割深度之和大于板体厚度。本发明还提供根据该方法绝缘密封而成的元件，其优点在于，板面平整度高，密封层不易形成空洞，绝氧效果好，降低短路的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 元件 密封 方法 及其 制成 | ||
【主权项】：
一种元件绝氧密封方法，提供一PPTC基板，该基板由若干PPTC单元重复排列而成，所述PPTC单元包括电极， 特征在于，包括如下步骤：对基板上、下表面印刷密封胶；对基板上、下表面其一进行第一次半切，形成第一凹槽；对第一切割表面印刷密封胶，填平第一凹槽；对基板上、下表面另一进行第二次半切，形成第二凹槽；对第二切割表面印刷密封胶，填平第二凹槽；在第一凹槽与第二凹槽处全切；其中，第一次半切与第二次半切的切割位点相对应且切割深度之和大于板体厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
