[发明专利]一种基于AlGaN/GaN HEMT的生物表面微流道制备方法有效
| 申请号： | 201510107077.3 | 申请日： | 2015-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN104815708A | 公开（公告）日： | 2015-08-05 |
| 发明（设计）人： | 王智勇;王青;高鹏坤;张绵 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | B01L3/00 | 分类号： | B01L3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于AlGaN/GaN HEMT的生物表面微流道制备方法微流道工艺，该工艺包括以下步骤，使用MOCVD、PECVD等外延生长AlGaN/GaN HEMT的异质结材料结构；制作源漏金属形成欧姆接触；制备微流道；使用PECVD设备生长SiN钝化层。其中微流道制备方法使用双层胶工艺。实现快速的生物样品制备、反应、检测分析集成化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 algan gan hemt 生物 表面 微流道 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于AlGaN/GaN HEMT的生物表面微流道制备方法微流道工艺，该工艺包括以下步骤，S1使用MOCVD、PECVD外延生长AlGaN/GaN HEMT的异质结材料结构；S2制作源漏金属形成欧姆接触；S3制备微流道；1)在HEMT表面均匀涂上第一层光刻正胶；2)使用步进投影光刻机进行曝光，显影，在厚度10μm的正胶膜上形成第一层胶窗口，即微流道的底部窗口；3)采用涂布材料涂在底层胶表面，隔离上下层胶体；4)涂上负lift‑out图形工艺胶，厚度为1.0um；5)使用步进投影光刻机进行曝光；形成双层胶微流道完整的胶型结构；6)采用ICPCVD设备，淀积SiN腔体材料，腔壁厚度约为10um；7)使用剥离液剥离所有胶体，形成高10um左右微流道；S4使用PECVD设备生长SiN钝化层。
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