[发明专利]半导体器件制作方法、半导体器件及电子装置在审
| 申请号： | 201510107509.0 | 申请日： | 2015-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN106033717A | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | 刘佳磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制作方法，其包括下述步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成二氧化硅层；向所述二氧化硅层注入氮原子以形成氮氧化硅薄膜；在所述氮氧化硅薄膜上形成盖帽层；在所述盖帽层上涂覆光刻胶并曝光，以得到图形化的光刻胶层；以图形化的光刻胶层为掩膜，依次去除曝光的盖帽层、氮氧化硅薄膜和二氧化硅层；去除所述氮氧化硅薄膜上方图形化的光刻胶层；去除所述氮氧化硅薄膜上方的盖帽层，得到图形化的界面氧化层。本发明提供的半导体器件制作方法，由于设置有盖帽层在去除光刻胶时可以完全去除而不会有光刻胶残余，这样最终形成高质量的、没有光刻胶残余的界面氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成二氧化硅层；向所述二氧化硅层注入氮原子以形成氮氧化硅薄膜；在所述氮氧化硅薄膜上形成盖帽层；在所述盖帽层上涂覆光刻胶并曝光，以得到图形化的光刻胶层；以图形化的光刻胶层为掩膜，依次去除曝光的盖帽层、氮氧化硅薄膜和二氧化硅层；去除所述氮氧化硅薄膜上方图形化的光刻胶层；去除所述氮氧化硅薄膜上方的盖帽层，得到图形化的界面氧化层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510107509.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有纳米孔隙的半导体元件及其制造方法
- 下一篇：显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
