[发明专利]FinFET的掺杂方法

摘要

本发明公开了一种FinFET的掺杂方法，该FinFET包括衬底和位于衬底上平行间隔设置的Fin，每根Fin包括顶面、第一侧壁和第二侧壁，该掺杂方法包括以下步骤：T1、在Fin的顶面、第一侧壁和第二侧壁中形成掺杂层；T2、将惰性元素沿着该衬底的法线方向注入至Fin的顶面中以减小顶面中掺杂元素的剂量。本发明通过较长时间的离子注入实现注入的饱和，并在侧壁完成注入之后增加一道注入的工艺，以实现Fin的均匀掺杂。

主权项

1.一种FinFET的掺杂方法，该FinFET包括衬底和位于衬底上平行间隔设置的Fin，每根Fin包括顶面、第一侧壁和第二侧壁，其特征在于，该掺杂方法包括以下步骤：T1、在Fin的顶面、第一侧壁和第二侧壁中形成掺杂层；T2、将惰性元素沿着该衬底的法线方向注入至Fin的顶面中以减小顶面的掺杂层中掺杂元素的剂量或浓度，对于每根Fin来说，步骤T1还包括：T11、使掺杂元素注入至该第一侧壁中以及注入至该顶面中，T12、使掺杂元素注入至该第二侧壁中以及注入至该顶面中，其中，步骤T11中使掺杂元素注入至该第一侧壁中以及注入至该顶面中直至该第一侧壁中掺杂元素的剂量达到自饱和，和/或，步骤T12中使掺杂元素注入至该第二侧壁中以及注入至该顶面中直至该第二侧壁中掺杂元素的剂量达到自饱和，其中，自饱和为注入的掺杂元素和溅射出的掺杂元素相等的动态平衡状态，或者，对于每根Fin来说，步骤T1包括：反复执行步骤TP1和步骤TP2直至该第一侧壁和该第二侧壁中的掺杂元素的剂量达到自饱和，之后执行步骤T2，TP1、使掺杂元素注入至该第一侧壁中以及注入至该顶面中；TP2、使掺杂元素注入至该第二侧壁中以及注入至该顶面中，其中，自饱和为注入的掺杂元素和溅射出的掺杂元素相等的动态平衡状态，并且掺杂元素的注入能量为200eV‑2keV。