[发明专利]一种晶圆减薄方法有效
| 申请号： | 201510107555.0 | 申请日： | 2015-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN106033708B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 陈林;徐超;吴旭升 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/312 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆减薄方法，包括下述步骤：提供半导体晶圆，在所述半导体晶圆正面形成钝化层，并蚀刻所述钝化层以形成沟槽；形成覆盖所述晶圆边缘以及所述沟槽和钝化层的填充层；去除晶圆边缘和沟槽区域之外的填充层；在所述钝化层上形成胶带；对所述晶圆进行晶背研磨；去除所述胶带；去除所述填充层。本发明提供的晶圆减薄方法在切割道等缝隙处以及晶圆边缘处形成填充层，这样当进行晶背研磨时，由于在切割道等缝隙处以及晶圆边缘处由填充层填充，研磨过程中产生的硅粉末不论是从晶圆侧面还是底面都无法进入芯片，因此可完全解决目前晶背研磨过程中硅粉末进入芯片的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆减薄 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆减薄方法，其特征在于，包括下述步骤：提供半导体晶圆，在所述半导体晶圆正面形成钝化层，并蚀刻所述钝化层以形成沟槽；形成覆盖所述晶圆边缘以及所述沟槽和钝化层的填充层；去除晶圆边缘和沟槽区域之外的填充层，保留位于所述晶圆边缘和所述沟槽中的填充层；在所述钝化层上形成胶带；对所述晶圆进行晶背研磨；去除所述胶带；去除所述填充层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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