[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置在审
| 申请号： | 201510107693.9 | 申请日： | 2015-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN106032265A | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | 刘尧;陈福成;施林波 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供晶圆，在所述晶圆上形成有具有第一开口的光刻胶层；步骤S2：对所述光刻胶层进行后烘，以固化所述光刻胶层；步骤S3：在所述光刻胶层和所述第一开口表面上贴敷感光性的膜层材料，步骤S4：对所述膜层材料曝光、显影，以在所述第一开口底部的所述膜层材料上形成第二开口；步骤S5：以所述光刻胶层和所述膜层材料为掩膜蚀刻所述晶圆，以在所述晶圆中形成深度不同的凹槽和台阶形结构。本发明中所述该方法充分利用了多次光刻工艺，将原来需要多次刻蚀才能实现的结构，减少到了一次刻蚀。本发明所述方法大大简化了现有工艺流程，不增加光罩。具有成本低、实施性强等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供晶圆，在所述晶圆上形成有具有第一开口的光刻胶层；步骤S2：对所述光刻胶层进行后烘，以固化所述光刻胶层；步骤S3：在所述光刻胶层和所述第一开口表面上贴敷感光性的膜层材料，步骤S4：对所述膜层材料曝光、显影，以在所述第一开口底部的所述膜层材料上形成第二开口；步骤S5：以所述光刻胶层和所述膜层材料为掩膜蚀刻所述晶圆，以在所述晶圆中形成深度不同的凹槽和台阶形结构。
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