[发明专利]提高铋层状结构压电陶瓷材料的压电性能以及其温度稳定性的方法有效
| 申请号： | 201510107721.7 | 申请日： | 2015-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN104725078A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 周志勇;李玉臣;董显林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B41/80 | 分类号： | C04B41/80 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高铋层状结构压电陶瓷材料的压电性能以及其温度稳定性的方法，所述方法包括，将铋层状结构压电陶瓷材料样品依次进行第一次极化处理、去极化处理以及第二次极化处理，其中，所述第一次极化处理和第二次极化处理均在第一温度和第一电场强度下进行，所述去极化处理为在第二温度下进行的退火处理，所述第一温度为150～200℃，第一电场强度比所述铋层状结构压电陶瓷材料的临界击穿电场强度低10%～30%，第二温度比所述铋层状结构压电陶瓷材料的居里温度高20～80℃。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 层状 结构 压电 陶瓷材料 性能 及其 温度 稳定性 方法 | ||
【主权项】：
一种提高铋层状结构压电陶瓷材料的压电性能以及其温度稳定性的方法，其特征在于，所述方法包括，将铋层状结构压电陶瓷材料样品依次进行第一次极化处理、去极化处理以及第二次极化处理，其中，所述第一次极化处理和第二次极化处理均在第一温度和第一电场强度下进行，所述去极化处理为在第二温度下进行的退火处理，所述第一温度为150～200℃，第一电场强度比所述铋层状结构压电陶瓷材料的临界击穿电场强度低10%～30%，第二温度比所述铋层状结构压电陶瓷材料的居里温度高20～80℃。
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