[发明专利]保护超薄硅基板的结构和制备工艺

摘要

本发明提供一种保护超薄硅基板的结构的制备工艺，包括下述步骤：S1，提供一硅基板，在硅基板的正面制作正面结构，且在所述正面结构中开用于后续步骤划片的划片槽；S2，提供一载片晶圆，利用临时键合工艺将硅基板正面与载片晶圆进行键合，形成临时键合体；S3，对硅基板背面进行减薄；S4，在硅基板背面制作应力槽；S5，在硅基板背面对应于划片槽的位置制作分割槽；S6，在硅基板背面覆盖一层钝化保护层；钝化保护层的材料填充应力槽和分割槽；S7,将临时键合体拆键合；S8，利用硅基板正面结构中的划片槽和硅基板中的分割槽进行划片。本发明能够有效保护薄硅基板和其上面贴装的裸芯片免受冲击应力而产生损坏。

主权项

1.一种保护超薄硅基板的结构的制备工艺，其特征在于，包括下述步骤：S1，提供一硅基板(1)，在硅基板(1)的正面制作正面结构(2)，且在所述正面结构(2)中开用于后续步骤划片的划片槽(3)；S2，提供一载片晶圆(4)，利用临时键合工艺将硅基板(1)正面与载片晶圆(4)进行键合，形成临时键合体；S3，对硅基板(1)背面进行减薄；S4，在硅基板(1)背面制作应力槽(6)，确保每个待划分的基板单元对应的硅基板(1)背面区域至少有一个应力槽(6)；S5，在硅基板(1)背面对应于划片槽(3)的位置制作分割槽(7)；分割槽(7)的深度为减薄后的硅基板(1)厚度的20～80%；S6，在硅基板(1)背面覆盖一层钝化保护层(8)；钝化保护层(8)的材料填充应力槽(6)和分割槽(7)；S7,将临时键合体拆键合；S8，利用硅基板(1)正面结构中的划片槽(3)和硅基板(1)中的分割槽(7)进行划片，将整块硅基板(1)分割为各个基板单元；步骤S3中，具体采用机械研磨工艺进行硅基板(1)背面减薄；步骤S4中，应力槽(6)采用湿法或干法刻蚀工艺制作；步骤S5中，分割槽(7)采用干法刻蚀工艺制作；步骤S6中，钝化保护层(8)采用旋涂工艺或喷涂工艺或液态塑封工艺覆盖在硅基板(1)背面。