[发明专利]高深宽比结构在审
申请号: | 201510108351.9 | 申请日: | 2015-03-12 |
公开(公告)号: | CN105702679A | 公开(公告)日: | 2016-06-22 |
发明(设计)人: | 张升原;魏安祺;连楠梓;杨大弘;陈光钊 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L29/06 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明是有关于一种高深宽比结构,包括基底、多个堆叠结构以及多个支撑结构。堆叠结构位于基底上,相邻两个堆叠结构之间具有沟渠。每一堆叠结构包括多个第一材料层及多个第二材料层。第二材料层与第一材料层相互交替。支撑结构分别位于基底与堆叠结构之间,其中每一支撑结构具有凹凸状表面。本发明所提供的高深宽比结构借由在基底与堆叠结构之间形成支撑结构,可以提升堆叠结构的强度以及抗倒塌性。 | ||
搜索关键词: | 高深 结构 | ||
【主权项】:
一种高深宽比结构,其特征在于其包括:一基底;多个堆叠结构,位于该基底上,相邻两个堆叠结构之间具有一沟渠,其中每一堆叠结构包括:多个第一材料层;及多个第二材料层,与该些第一材料层相互交替;以及多个支撑结构,分别位于该基底与该些堆叠结构之间,其中每一支撑结构具有一凹凸状表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司,未经旺宏电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510108351.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的