[发明专利]高深宽比结构在审

专利信息
申请号: 201510108351.9 申请日: 2015-03-12
公开(公告)号: CN105702679A 公开(公告)日: 2016-06-22
发明(设计)人: 张升原;魏安祺;连楠梓;杨大弘;陈光钊 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L27/115 分类号: H01L27/115;H01L29/06
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明是有关于一种高深宽比结构,包括基底、多个堆叠结构以及多个支撑结构。堆叠结构位于基底上,相邻两个堆叠结构之间具有沟渠。每一堆叠结构包括多个第一材料层及多个第二材料层。第二材料层与第一材料层相互交替。支撑结构分别位于基底与堆叠结构之间,其中每一支撑结构具有凹凸状表面。本发明所提供的高深宽比结构借由在基底与堆叠结构之间形成支撑结构,可以提升堆叠结构的强度以及抗倒塌性。
搜索关键词: 高深 结构
【主权项】:
一种高深宽比结构,其特征在于其包括:一基底;多个堆叠结构,位于该基底上,相邻两个堆叠结构之间具有一沟渠,其中每一堆叠结构包括:多个第一材料层;及多个第二材料层,与该些第一材料层相互交替;以及多个支撑结构,分别位于该基底与该些堆叠结构之间,其中每一支撑结构具有一凹凸状表面。
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