[发明专利]制作字线的方法、形成半导体元件的方法及记忆体元件在审
| 申请号： | 201510108359.5 | 申请日： | 2015-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN106033740A | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | 龙成一;魏安祺;杨大弘 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/283;H01L23/48 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是有关于一种以具有薄导电层的半镶嵌工艺来制作字线的方法、形成半导体元件的方法及记忆体元件.可以用来制作无串焊的字线，其可以在字线的间隔小于40纳米时，维持记忆胞的关件尺寸，通过在制作工艺中使用薄导电保护层来保护储存层，并在后续工艺中使此薄导电保护层与填充的导电材料接触。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 方法 形成 半导体 元件 记忆体 | ||
【主权项】：
一种制作字线的方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一半导体结构，使该半导体结构具有一储存层以及一薄导电保护层位于一基材上方；其中，该薄导电保护层是用来保护该储存层；图案化该薄导电保护层和该储存层，以形成多个开口，将一部分的该基材暴露于外；以及以一介电材料填充该些开口，并在该些开口之间形成一导电结构；其中，该导电结构包括该薄导电保护层以及一导电层，该导电层位于该薄导电保护层上，并与该薄导电保护层电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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