[发明专利]基于共轭聚电解质的有机光电器件阴极界面层的制备方法及应用有效

专利信息
申请号: 201510109272.X 申请日: 2015-03-12
公开(公告)号: CN104821374B 公开(公告)日: 2017-10-20
发明(设计)人: 黄飞;张凯;曹镛 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H01L51/48 分类号: H01L51/48;H01L51/56
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司44245 代理人: 陈文姬
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了基于共轭聚电解质的有机光电器件阴极界面层的制备方法,包括以下步骤(1)制备阴离子共轭聚电解质和阳离子共轭聚电解质溶液;(2)对经清洗的导电基板进行表面处理,得到带电基板;(3)将带电基板浸泡于与其所带电荷电性相反的共轭聚电解质溶液中,在带电基板吸附一层共轭聚电解质,洗净吹干;(4)将带电基板浸泡于与步骤(3)所述聚电解质溶液电性相反的共轭聚电解质溶液中,在带电基板吸附一层聚电解质,洗净吹干;(5)重复步骤(3)~(4),得到有机光电器件阴极界面层。本发明还公开了上述有机光电器件阴极界面层的应用。本发明的制备方法操作简单,实验条件易于控制,得到的阴极界面层具有高效阴极界面修饰能力。
搜索关键词: 基于 共轭 电解质 有机 光电 器件 阴极 界面 制备 方法 应用
【主权项】:
基于共轭聚电解质的有机光电器件阴极界面层的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)制备阴离子共轭聚电解质溶液和阳离子共轭聚电解质溶液;其中,所述阴离子共轭聚电解质为主链包含芳香基团芴,硅芴,咔唑,噻吩并环芴二烯,噻吩并噻喏,二噻吩并吡咯,苯,苯并双噻吩,吲哚芴,吲哚咔唑,连噻吩,并噻吩中的一种以上的均聚物或共聚物,侧链包含羧酸盐;所述阳离子共轭聚电解质为主链包含芳香基团芴,硅芴,咔唑,噻吩并环芴二烯,噻吩并噻喏,二噻吩并吡咯,苯,苯并双噻吩,吲哚芴,吲哚咔唑,连噻吩,并噻吩中的一种以上的均聚物或共聚物,侧链包含铵盐;(2)对经清洗的导电基板进行表面处理,得到带电基板;(3)将带电基板浸泡于与其所带电荷电性相反的共轭聚电解质溶液中,通过静电相互作用在带电基板吸附一层共轭聚电解质,之后取出经去离子水反复冲洗,气体干燥;(4)将带电基板浸泡于与步骤(3)所述聚电解质溶液电性相反的共轭聚电解质溶液中,通过静电相互作用在带电基板吸附一层聚电解质,之后取出经去离子水反复冲洗,气体干燥;(5)重复步骤(3)~(4),得到具有多层结构的有机光电器件阴极界面层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学,未经华南理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510109272.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top