[发明专利]基于共轭聚电解质的有机光电器件阴极界面层的制备方法及应用有效
申请号: | 201510109272.X | 申请日: | 2015-03-12 |
公开(公告)号: | CN104821374B | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 黄飞;张凯;曹镛 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/56 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人: | 陈文姬 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了基于共轭聚电解质的有机光电器件阴极界面层的制备方法,包括以下步骤(1)制备阴离子共轭聚电解质和阳离子共轭聚电解质溶液;(2)对经清洗的导电基板进行表面处理,得到带电基板;(3)将带电基板浸泡于与其所带电荷电性相反的共轭聚电解质溶液中,在带电基板吸附一层共轭聚电解质,洗净吹干;(4)将带电基板浸泡于与步骤(3)所述聚电解质溶液电性相反的共轭聚电解质溶液中,在带电基板吸附一层聚电解质,洗净吹干;(5)重复步骤(3)~(4),得到有机光电器件阴极界面层。本发明还公开了上述有机光电器件阴极界面层的应用。本发明的制备方法操作简单,实验条件易于控制,得到的阴极界面层具有高效阴极界面修饰能力。 | ||
搜索关键词: | 基于 共轭 电解质 有机 光电 器件 阴极 界面 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
基于共轭聚电解质的有机光电器件阴极界面层的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)制备阴离子共轭聚电解质溶液和阳离子共轭聚电解质溶液;其中,所述阴离子共轭聚电解质为主链包含芳香基团芴,硅芴,咔唑,噻吩并环芴二烯,噻吩并噻喏,二噻吩并吡咯,苯,苯并双噻吩,吲哚芴,吲哚咔唑,连噻吩,并噻吩中的一种以上的均聚物或共聚物,侧链包含羧酸盐;所述阳离子共轭聚电解质为主链包含芳香基团芴,硅芴,咔唑,噻吩并环芴二烯,噻吩并噻喏,二噻吩并吡咯,苯,苯并双噻吩,吲哚芴,吲哚咔唑,连噻吩,并噻吩中的一种以上的均聚物或共聚物,侧链包含铵盐;(2)对经清洗的导电基板进行表面处理,得到带电基板;(3)将带电基板浸泡于与其所带电荷电性相反的共轭聚电解质溶液中,通过静电相互作用在带电基板吸附一层共轭聚电解质,之后取出经去离子水反复冲洗,气体干燥;(4)将带电基板浸泡于与步骤(3)所述聚电解质溶液电性相反的共轭聚电解质溶液中,通过静电相互作用在带电基板吸附一层聚电解质,之后取出经去离子水反复冲洗,气体干燥;(5)重复步骤(3)~(4),得到具有多层结构的有机光电器件阴极界面层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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