[发明专利]太阳能电池的制造方法

摘要

本发明提出了一种太阳能电池的制造方法：首先提供长城型基板阵列结构，然后在第一沟槽和第二沟槽的侧壁上形成具有第一掺杂类型的第一半导体层和位于所述第一半导体层上的氧化物层；随后去除第一沟槽侧壁上的氧化物层和第一半导体层；最后在第一沟槽的侧壁上形成具有第二掺杂类型的第二半导体层，其中所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反。本发明的太阳能电池的制造方法，在去除长城型基板阵列结构中不需要的一面的材料和掺杂时，同时还能保护另一面需要的材料和掺杂不受影响，具有节省材料、增加产量和降低制造成本的优点。

主权项

一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：A、提供长城型基板阵列结构，包括基板阵列和多个基片；所述基板阵列包括按照预定方向排列的多个基板，每个所述基板包括第一表面和与其相对的第二表面；所述多个基片分别设置在所述基板的第一表面和第二表面的外侧；对于相间隔的基板的每一个，其第一表面与其一侧的相邻基板的第一表面共用一个基片，以形成第一沟槽，且其第二表面与其另一侧的相邻基板的第二表面共用另一个基片，以形成第二沟槽，所述第一沟槽与所述第二沟槽开口方向相反；B、在所述第一沟槽和第二沟槽的侧壁上形成具有第一掺杂类型的第一半导体层和位于所述第一半导体层上的氧化物层；C、去除所述第一沟槽侧壁上的氧化物层和第一半导体层；D、在所述第一沟槽的侧壁上形成具有第二掺杂类型的第二半导体层，其中所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反。