[发明专利]覆盖倍频晶体的高效率太阳能电池无效
申请号: | 201510110057.1 | 申请日: | 2015-03-07 |
公开(公告)号: | CN104659141A | 公开(公告)日: | 2015-05-27 |
发明(设计)人: | 顾海涛;顾士平 | 申请(专利权)人: | 顾海涛 |
主分类号: | H01L31/055 | 分类号: | H01L31/055 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 215000 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种覆盖倍频晶体的太阳能电池,将太阳能电池上覆盖1层、2层或n层光倍频晶体。高效率太阳能电池的结构:光倍频晶体1(402)、光倍频晶体2(403)、…、光倍频晶体n(404)覆盖在太阳能电池(405)上面,当太阳(401)光线通过光倍频晶体1(402)时将太阳光倍频后,再照射到光倍频晶体2(403)再次倍频后,再照射到光倍频晶体n(404)再倍频,经过2n倍频后,再照射到太阳能电池(405)上;从而使太阳光谱有更多能激发太阳能电池光电流的光谱,从而提高了太阳能电池对太阳光的利用率。可应用于现有的各种光伏太阳能电池上。 | ||
搜索关键词: | 覆盖 倍频 晶体 高效率 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种覆盖倍频晶体的高效率太阳能电池,其特征是:在太阳能电池上方覆盖一层光倍频晶体,将太阳光的频率倍频后再照射到光伏电池上,使太阳光的频率翻倍,从而使更多的太阳能光谱能激发光伏电池的电子跃迁,使太阳光的利用率更高,从而提高了太阳能电池的效率;高效率太阳能电池结构:光倍频晶体1(102)覆盖在光伏电池(103)上面,当太阳(101)光线通过光倍频晶体1(102)时将太阳光倍频后,再照射到光伏电池(103)上;从而使太阳光谱中有更多能激发太阳能光伏电池光电流的光谱,从而提高了太阳能光伏电池对太阳光的利用率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的