[发明专利]P型埋层覆盖型半超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管有效
| 申请号： | 201510112078.7 | 申请日： | 2015-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN104716190B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 段宝兴;董超;范玮;杨银堂;朱樟明;李春来;马剑冲 | 申请（专利权）人： | 西安后羿半导体科技有限公司;西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | P型埋层覆盖型半超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管。本发明公开一种新的SJ‑LDMOS器件。本发明在N型衬底外延层上制作半超级结，并且在半超级结区上引入P型埋层。与传统的超级结相比，本发明通过了N区和P型埋层的共同作用，补偿了超级结内N型柱区和P型柱区之间的电荷不平衡，克服了衬底辅助效应，提高了击穿电压；并且，由于是半超级结，在表面引入一个电场峰，进一步提高击穿电压。同时，P型埋层可以提高N区的浓度，降低比导通电阻。可以看出该结构的特点是高击穿电压，低导通电阻和超级结层电荷的平衡。本发明提供的新的SJ‑LDMOS器件结构还具有制造工艺相对简单，工艺难度较低的特点。本发明更易满足功率电子系统的应用要求。 | ||
| 搜索关键词： | 型埋层 覆盖 型半超结 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 场效应 | ||
【主权项】：
P型埋层覆盖型半超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：P型衬底；位于所述P型衬底上N型外延层表面的P型基区；位于所述P型基区部分表面的N型源区；半超级结区，包括N型柱区和P型柱区；该半超级结区的N型底端辅助层位于所述P型衬底上N型外延层的表面并与P型基区邻接；位于半超级结区部分表面的N型漏区；其特征在于：所述N型底端辅助层的表面主要分为具有高度差的三部分，按照由低到高的顺序，第一部分的表面上为注入的所述N型柱区和P型柱区，第二部分和半超级结区余下部分的表面覆盖有与N型漏区邻接的P型掺杂埋层，第三部分与P型基区邻接，并将P型基区与P型掺杂埋层隔离。
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