[发明专利]一种多晶电阻的制作方法

摘要

本发明涉及半导体制作领域，尤其涉及一种多晶电阻的制作方法，包括：在半导体单晶片上依次生长氧化层、多晶硅层；对所述多晶硅层进行离子掺杂并刻蚀所述多晶硅层形成多晶硅电阻条；生长介质层；在所述介质层上涂布光刻胶并刻蚀所述介质层形成所述多晶硅电阻条接触孔，所述多晶硅电阻条的接触孔底部与所述多晶硅电阻条接触；通过所述多晶硅电阻条的接触孔进行离子注入，去除所述光刻胶；生长金属层并刻蚀所述金属层形成引线。本发明解决多晶电阻制作工艺复杂、生产成本较高的问题。

主权项

1.一种多晶电阻的制作方法，其特征在于，所述方法包括：在半导体单晶片上依次生长氧化层、多晶硅层；对所述多晶硅层进行离子掺杂并刻蚀所述多晶硅层形成多晶硅电阻条；生长介质层；在所述介质层上涂布光刻胶并刻蚀所述介质层形成所述多晶硅电阻条接触孔，所述多晶硅电阻条的接触孔底部与所述多晶硅电阻条接触；通过所述多晶硅电阻条的接触孔进行离子注入，去除所述光刻胶；生长金属层并刻蚀所述金属层形成引线；所述生长介质层，还包括：在所述多晶硅电阻条区域和元胞器件区域同时生长介质层，其中所述多晶电阻条区域的介质层厚度比元胞器件区域的介质层厚度薄；其中，所述刻蚀所述介质层形成所述多晶硅电阻条接触孔，还包括：采用各向同性刻蚀工艺刻对所述多晶硅电阻条区域和所述元胞器件区域进行刻蚀，被刻蚀的元胞器件区域中仍保留部分所述介质层；所述通过所述多晶硅电阻条接触孔进行离子注入之后，去除所述光刻胶之前，还包括：采用各向异性干法刻蚀工艺刻蚀掉所述元胞器件区域中保留的所述介质层，形成所述元胞器件区域的接触孔。