[发明专利]P型埋层覆盖型超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管有效
| 申请号： | 201510112699.5 | 申请日： | 2015-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN104733534B | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 段宝兴;李春来;杨银堂;马剑冲;袁嵩 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/36 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种新的SJ‑LDMOS器件。与传统的SJ‑LDMOS相比，本发明通过P型埋层和N型buffer层的共同作用，补偿了超级结内N型柱区和P型柱区之间的电荷不平衡，克服了衬底辅助效应，提高了击穿电压；同时，P型埋层可以提高N型buffer层的浓度，降低比导通电阻。可以看出该结构的特点是高击穿电压，低导通电阻和超级结层电荷的平衡。本发明提供的新的SJ‑LDMOS器件结构还具有制造工艺相对简单，工艺难度较低的特点。本发明更易满足功率电子系统的应用要求。 | ||
| 搜索关键词： | 型埋层 覆盖 型超结 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 场效应 | ||
【主权项】：
P型埋层覆盖型超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：P型半导体衬底；位于所述P型半导体衬底上N型外延层一部分表面的P型基区；位于所述P型基区部分表面的N型源区；对应于所述P型半导体衬底上N型外延层另一部分表面的超级结区，包括N型柱区和P型柱区；超级结区的N型柱区和P型柱区均与P型基区邻接；位于超级结区部分表面的N型漏区；其特征在于：超级结区的下表面与所述P型半导体衬底上N型外延层另一部分表面之间具有一层N型buffer层；在N型柱区的部分上表面覆盖有与所述N型漏区邻接的P型掺杂埋层，该N型柱区的部分上表面与其另一部分上表面存在高度差，以使P型掺杂埋层与P型基区隔离；所述另一部分上表面与P型柱区的上表面平齐。
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