[发明专利]像素结构的制作方法

摘要

本发明公开了一种像素结构的制作方法，包含下列步骤。在基板上形成栅极。在基板以及栅极上按序形成绝缘层、金属氧化物半导体层以及金属电极层。应用多灰阶光罩微影工艺，进行下列步骤。将金属氧化物半导体层图案化为通道区与像素电极区。将金属氧化物半导体层的像素电极区导体化为像素电极。将金属电极层图案化为至少一个源极，源极位于通道区上，且通道区至少部分位于源极与像素电极之间。根据本发明的上述步骤，通道区、像素电极、与源极可以通过同一个多灰阶光罩工艺形成，因此减少了工艺中所使用的光罩数量。

主权项

1.一种像素结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包含下列步骤：在基板上形成栅极；在所述基板以及所述栅极上按序形成绝缘层、金属氧化物半导体层以及金属电极层；以及应用多灰阶光罩微影工艺，进行下列步骤：将所述金属氧化物半导体层图案化为通道区与像素电极区，所述通道区位于所述栅极上方，所述像素电极区与所述通道区相连接；将所述金属氧化物半导体层的像素电极区导体化为像素电极，并保留所述金属氧化物半导体层的另一部分为通道区；以及将所述金属电极层图案化为至少一个源极，所述源极位于所述通道区上，且所述通道区至少部分位于所述源极与所述像素电极之间，其中所述金属氧化物半导体层图案化的步骤包含：在所述金属电极层上形成光阻层；通过多灰阶光罩对所述光阻层进行图案化，以形成图案化光阻层，其中所述图案化光阻层具有多个厚度不同的区域并覆盖预计形成所述通道区与所述像素电极区的位置；以及以所述图案化光阻层为罩幕，图案化所述金属电极层与所述金属氧化物半导体层，使得所述金属氧化物半导体层成为所述通道区与所述像素电极区。