[发明专利]检验方法和设备、光刻设备、光刻处理单元和器件制造方法在审

专利信息
申请号: 201510113206.X 申请日: 2009-12-17
公开(公告)号: CN104834186A 公开(公告)日: 2015-08-12
发明(设计)人: H·克拉莫;P·海恩 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F1/44
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 胡良均
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 发明涉及检验方法和设备、光刻设备、光刻处理单元和器件制造方法。为了确定曝光设备是否输出正确的辐射剂量以及曝光设备的投影系统是否正确地聚焦辐射,在掩模上使用测试图案、用于印刷特定标记到衬底上。这种标记可以通过例如散射仪等检验设备测量以确定是否在焦距、剂量和其他相关性质中存在误差。这种测试图案布置成使得焦距和剂量中的改变可以容易地通过测量使用掩模曝光的图案的性质而确定。掩模的测试图案布置成使得其产生衬底表面上的标记图案。标记图案包含具有至少两个可测量的侧壁角度的结构。结构的侧壁角度之间的不对称与来自曝光设备的曝光辐射的聚焦(或散焦)相关。散焦的程度由此通过测量印刷的标记图案结构的侧壁角度中的不对称而确定。
搜索关键词: 检验 方法 设备 光刻 处理 单元 器件 制造
【主权项】:
一种测量曝光设备的与焦距相关的性质的方法,所述方法包括步骤:使用下列设备在衬底表面上印刷图案:i)将要被测量的曝光设备和ii)图案形成装置,包括图案,用于形成印刷图案,所述图案形成装置的图案被设计成产生随曝光设备的焦距的变化而变化的印刷图案;将辐射束投影到衬底表面上的印刷图案上;检测从衬底表面上的印刷图案反射的辐射;使用检测的辐射测量印刷图案内的不对称;和由所述不对称确定曝光设备的焦距,其中印刷图案包括一个或多个结构并且由一个或多个结构的不对称的变化确定曝光设备的焦距的变化,其中,所述不对称包括印刷图案内的结构的侧壁角度测量值的差异。
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