[发明专利]真空锁系统及基片传送方法有效

专利信息
申请号: 201510114148.2 申请日: 2015-03-16
公开(公告)号: CN106033737B 公开(公告)日: 2019-01-18
发明(设计)人: 陶珩;雷仲礼 申请(专利权)人: 中微半导体设备(上海)有限公司
主分类号: H01L21/677 分类号: H01L21/677;H01J37/32
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 林彦之;张磊
地址: 201201 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种传送基片的真空锁系统,包含腔室主体、第一和第二传片机构。腔室主体包括第一室和与第一室水平设置的第二室。第一室用于对置于基座上的基片进行等离子体处理。第二室具有侧壁上可密封地形成分别与第一室、大气气氛环境和真空处理环境相连通的第一、第二和第三开口。当在所述第一室和第二室之间进行基片传送时,第一传片机构用于在基座和第一室内高于基座顶面的一传送位置之间传送基片,第二传片机构用于通过第一开口在第二室与传送位置之间传送基片,第一传片机构和第二传片机构在所述传送位置处进行基片交接。本发明能够提高系统传片效率,减轻真空处理环境中传送机器人的运动负担。
搜索关键词: 真空 系统 传送 方法
【主权项】:
1.一种传送基片的真空锁系统,其特征在于,包含:腔室主体,其包括:第一室,其中设有基座,所述第一室用于对置于该基座上的基片进行真空处理;与所述第一室水平相邻设置的第二室,具有以可密封的方式形成于其侧壁上的第一、第二和第三开口,所述第一、第二和第三开口分别用于与所述第一室、大气气氛环境和真空处理环境相连通以进行基片传送;第一传片机构,用于当在所述第一室和第二室之间进行基片传送时,在所述基座和一传送位置之间传送基片,所述传送位置为位于所述第一室内且高于所述基座顶面的位置;以及第二传片机构,用于当在所述第一室和第二室之间进行基片传送时,通过所述第一开口在所述第二室与所述传送位置之间传送基片;所述第一传片机构和第二传片机构在所述传送位置处进行基片交接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备(上海)有限公司,未经中微半导体设备(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510114148.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top