[发明专利]真空锁系统及基片传送方法有效
申请号: | 201510114148.2 | 申请日: | 2015-03-16 |
公开(公告)号: | CN106033737B | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 陶珩;雷仲礼 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01J37/32 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 林彦之;张磊 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种传送基片的真空锁系统,包含腔室主体、第一和第二传片机构。腔室主体包括第一室和与第一室水平设置的第二室。第一室用于对置于基座上的基片进行等离子体处理。第二室具有侧壁上可密封地形成分别与第一室、大气气氛环境和真空处理环境相连通的第一、第二和第三开口。当在所述第一室和第二室之间进行基片传送时,第一传片机构用于在基座和第一室内高于基座顶面的一传送位置之间传送基片,第二传片机构用于通过第一开口在第二室与传送位置之间传送基片,第一传片机构和第二传片机构在所述传送位置处进行基片交接。本发明能够提高系统传片效率,减轻真空处理环境中传送机器人的运动负担。 | ||
搜索关键词: | 真空 系统 传送 方法 | ||
【主权项】:
1.一种传送基片的真空锁系统,其特征在于,包含:腔室主体,其包括:第一室,其中设有基座,所述第一室用于对置于该基座上的基片进行真空处理;与所述第一室水平相邻设置的第二室,具有以可密封的方式形成于其侧壁上的第一、第二和第三开口,所述第一、第二和第三开口分别用于与所述第一室、大气气氛环境和真空处理环境相连通以进行基片传送;第一传片机构,用于当在所述第一室和第二室之间进行基片传送时,在所述基座和一传送位置之间传送基片,所述传送位置为位于所述第一室内且高于所述基座顶面的位置;以及第二传片机构,用于当在所述第一室和第二室之间进行基片传送时,通过所述第一开口在所述第二室与所述传送位置之间传送基片;所述第一传片机构和第二传片机构在所述传送位置处进行基片交接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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