[发明专利]一种 MOSFET 桥电路有效
| 申请号： | 201510114239.6 | 申请日： | 2015-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN104638954B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 何茂平;李汝虎;蔡舒宏 | 申请（专利权）人： | 博为科技有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/217 | 分类号： | H02M7/217 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及通信技术领域，特别涉及一种MOSFET桥电路，电位提取电路、MOS管驱动电路、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管及第二NMOS管。所述电位提取电路与所述MOS管驱动电路连接，所述MOS管驱动电路分别与所述第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管及第二NMOS管连接。本发明提供的MOSFET桥电路，结构简单、容易实现大规模量产，能够降低功耗和减小发热量。 | ||
| 搜索关键词： | 桥电路 电位提取 电路 通信技术领域 发热量 降低功耗 减小 量产 | ||
【主权项】：
1.一种MOSFET桥电路，其特征在于，包括：电位提取电路、MOS管驱动电路、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管及第二NMOS管；所述电位提取电路设置有正极电源输入端口、负极电源输入端口、高电位提取输出端口及低电位提取输出端口；所述MOS管驱动电路上设置有高电位输入端口、低电位输入端口、第一PMOS管栅极驱动端口、第一PMOS管源极驱动端口、第二PMOS管栅极驱动端口、第二PMOS管源极驱动端口、第一NMOS管栅极驱动端口、第一NMOS管源极驱动端口、第二NMOS管栅极驱动端口及第二NMOS管源极驱动端口；所述高电位提取输出端口与所述高电位输入端口连接；所述低电位提取输出端口与所述低电位输入端口连接；所述第一PMOS管栅极驱动端口与所述第一PMOS管的栅极连接；所述第一PMOS管源极驱动端口与所述第一PMOS管的源极连接；所述第二PMOS管栅极驱动端口与所述第二PMOS管的栅极连接；所述第二PMOS管源极驱动端口与所述第二PMOS的源极连接；所述第一NMOS管栅极驱动端口与所述第一NMOS管的栅极连接；所述第一NMOS管源极驱动端口与所述第一NMOS管的源极连接；所述第二NMOS管栅极驱动端口与所述第二NMOS管的栅极连接；所述第二NMOS管源极驱动端口与所述第二NMOS管的源极连接；所述第一PMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极连接形成PoE电源正极输出端；所述第一NMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极连接形成PoE电源负极输出端。
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