[发明专利]一种低功耗上电复位电路

摘要

本发明提供一种低功耗上电复位电路，包括：相互并联的两条支路，其中第一支路包括第一PMOS管，第一耗尽型MOS管和第二耗尽型MOS管，第一PMOS管的源极与电源相连接，栅极与漏极短接，第一耗尽型MOS管的漏极与第一PMOS管的漏极相连接，其节点作为第一节点；第一电容连接在第一节点与接地之间；第二支路具备共栅并联的第二PMOS管和第一NMOS管，第二PMOS管的源极与电源相连接，漏极与第一NMOS管的漏极相连接，该节点作为第二节点，用于输出第一复位信号；还包括第三PMOS管，第三PMOS管用于根据第一复位信号，锁定第一节点的电压。利用本发明的低功耗上电复位电路，采用电平触发方式产生复位信号，具有功耗低，抗干扰能力强的优点，弥补了现有技术的不足。

主权项

1.一种低功耗上电复位电路，其特征在于，具备相互并联的两条支路，其中第一支路包括第一PMOS管，第一耗尽型MOS管和第二耗尽型MOS管，所述第一PMOS管的源极与电源相连接，栅极与漏极短接，所述第一耗尽型MOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极相连接，其节点作为第一节点，所述第二耗尽型MOS管的漏极与所述第一耗尽型MOS管的源极相连接，源极接地，所述第一耗尽型MOS管与所述第二耗尽型MOS管的栅极均连接地电位；第一电容，所述第一电容连接在所述第一节点与地之间；第二支路具备共栅并联的第二PMOS管和第一NMOS管，所述第二PMOS管的源极与电源相连接，漏极与所述第一NMOS管的漏极相连接，该节点作为第二节点，用于输出第一上电复位信号，栅极与所述第一节点相连接，所述第一NMOS管的栅极与所述第一节点相连接，源极接地；还包括第三PMOS管，所述第三PMOS管用于根据第一复位信号，锁定所述第一节点的电压，所述第三PMOS管的源极与电源相连接，漏极与所述第一节点相连接，栅极与所述第二节点相连接。